Исследование эффективности InGaN/GaN светодиодов

Представлено комплексное исследование механизмов, ограничивающих эффективность InGaN/GaN светодиодов: механизм уменьшения эффективности InGaN/GaN светодиодов при увеличении рабочего тока, влияние перегрева активного слоя на эффективность светодиодов, а также влияние поглощения и рассеяния света, генерируемого в активной области, на вывод света и эффективность InGaN/GaN светодиодов